Москва, ул. Кусковская, 20А, корп. Г, БЦ Кусково
Доставка заказов по
территории РФ и СНГ
Минимальный сумма
заказа от 1000 руб
Лучшие электронные компоненты
элементы и приборы зарубежных
и отечественных производителей
По лучшим ценам
оптом и в розницу
Режим работы магазина Понедельник - Суббота с 09:00 до 21:00 Воскресенье - выходной
Москва, ул. Кусковская 20А, к. Г, БЦ Кусково
Доставка заказов по территории РФ и СНГ
Минимальный сумма заказа от 1000 руб
Лучшие электронные элементы и приборы зарубежных и отечественных производителей По лучшим ценам
оптом и в розницу
МЫ НА СВЯЗИ:

Микросхема CY62256NLL-70SNXC

Микросхема CY62256NLL-70SNXC


Артикул: #Микросхема CY62256NLL-70SNXC
Товар в наличии
Цена товара:
0₽
Все цены на сайте указаны без НДС

Микросхема CY62256NLL-70SNXC представляет собой высокопроизводительную статическую оперативную память (SRAM) с организацией 32 768 слов по 8 бит (32K x 8), что в сумме составляет 256 Кбит (256 Kilobits) памяти. Это асинхронная SRAM, что означает прямой доступ к ячейкам памяти без необходимости тактовой синхронизации, делая ее простой в использовании и быстрой в работе. Время доступа 70 наносекунд (70 ns) обеспечивает высокую скорость чтения и записи данных.

Версия "NLL" в названии указывает на низкое энергопотребление в режиме ожидания (Low-Power), что делает ее идеальным выбором для портативных устройств, систем с батарейным питанием и любых приложений, где требуется минимизация энергопотребления. Микросхема работает от стандартного напряжения питания 5 В (4.5 В - 5.5 В) и имеет TTL-совместимые входы и выходы, что упрощает ее интеграцию в большинство цифровых схем. Автоматический режим снижения потребления при отключении (power-down) дополнительно экономит энергию. Она широко применяется в качестве буферной памяти, памяти конфигурации, памяти для микроконтроллеров и DSP, в сетевом оборудовании, измерительной аппаратуре, контроллерах и потребительской электронике.

CY62256NLL-70SNXC выпускается в удобном корпусе SOIC-28 (SOP-28) для поверхностного монтажа, что соответствует современным требованиям к компактности устройств.

 

 

  • Тип памяти: Статическая оперативная память (SRAM), асинхронная

  • Производитель: Cypress Semiconductor (теперь Infineon Technologies), Alliance Memory (совместимые аналоги)

  • Объем памяти: 256 Кбит (Kilobits)

  • Организация памяти: 32 768 слов x 8 бит (32K x 8)

  • Время доступа (Access Time): 70 нс (70 ns)

  • Напряжение питания: 4.5 В ~ 5.5 В (номинал 5 В)

  • Ток потребления (активный): До 50 мА (типовой 25 мА)

  • Ток потребления (режим ожидания, Standby, "LL" версия): До 5 мкА (типовой 0.1 мкА при CMOS-уровнях входов)

  • Интерфейс: Параллельный

  • Входы/Выходы: TTL-совместимые

  • Функции управления:

    • Активный низкий Chip Enable (CE)

    • Активный низкий Output Enable (OE)

    • Активный низкий Write Enable (WE)

    • Трехстабильные выходы

  • Дополнительные функции:

    • Автоматическое снижение энергопотребления при деселектировании

    • Легкое расширение памяти

  • Корпус: SOIC-28 (SOP-28, 28-lead Small Outline Integrated Circuit, 300-mil/7.50mm width) для поверхностного монтажа (SMD/SMT)

  • Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C (Commercial Temperature Range)

  • Соответствие: RoHS (без содержания свинца)

Рекомендуемые товары