Варистор 10D471K, 470v 10mm
Варистор 10D471K, 470v 10mm
Варистор 10D471K — это компактный и эффективный компонент для защиты электронного оборудования от скачков напряжения. С классификационным напряжением 470 В и диаметром диска 10 мм, этот металлооксидный варистор (MOV) предназначен для поглощения импульсных помех, вызванных молнией, коммутационными процессами в сети или другими переходными перенапряжениями. Он идеально подходит для использования в различных бытовых и промышленных электронных устройствах, где требуется надёжная и быстрая защита.
Принцип работы:
Варистор, или Voltage Dependent Resistor (VDR), является полупроводниковым элементом с нелинейной вольт-амперной характеристикой. При нормальном рабочем напряжении варистор обладает очень высоким сопротивлением, практически не пропуская ток. Однако, как только напряжение на нём превышает определённый порог (классификационное напряжение), его сопротивление резко падает, создавая низкоимпедансный путь для импульса тока. Это позволяет шунтировать опасное перенапряжение от защищаемой цепи, тем самым предотвращая повреждение чувствительных компонентов. Время отклика варистора крайне мало, обычно менее 25 наносекунд.
-
Классификационное напряжение: 470 В (V) (напряжение при токе 1 мА)
-
Максимальное непрерывное переменное напряжение: 300 В (VAC)
-
Максимальное непрерывное постоянное напряжение: 385 В (VDC)
-
Максимальная поглощаемая энергия (Energy): Обычно 70 Дж (J) (для импульса 10/1000 мкс)
-
Максимальное импульсное напряжение (Clamping Voltage): До 775 В при определённом токе (например, 25 А)
-
Максимальный импульсный ток (Surge Current): До 2500 А (для импульса 8/20 мкс)
-
Диаметр диска: 10 мм (обозначение "10D")
-
Допустимое отклонение классификационного напряжения: ±10% (обозначение "K")
-
Время отклика: Менее 25 нс (типовое 10 нс)
-
Рабочий температурный диапазон: От −40 °C до +85 °C (или до +105 °C в зависимости от производителя)
-
Конструкция: Дисковый элемент с радиальными выводами для монтажа в отверстия (THT).
-
Низкая паразитная ёмкость: Как правило, от 210 пФ до 300 пФ при 1 кГц, что позволяет использовать его в схемах, где важна минимизация влияния на высокочастотные сигналы.
