Микросхема K6R4016V1D-UI10 — это статическая память (SRAM) от компании Samsung с организацией 256 К × 16 бит (4 194 304 бит), выполнена в тонком корпусе TSOP-II на 44 контакта. Работает на напряжении 3.3 В и обеспечивает высокую скорость доступа до 10 нс. Обладает низким энергопотреблением и пригодна для использования в промышленных температурных диапазонах, не требует тактового сигнала или обновления (полностью статическая работа) .

2. Ключевые характеристики

• Тип памяти: SRAM (статическая оперативная память), асинхронная, без необходимости обновления данных .

• Организация: 256K × 16 бит (4 194 304 бит) .

• Время доступа: 10 нс (макс.) .

• Напряжение питания: 3.3 ± 0.3 В, рабочий ток до 65 мА .

• Температурный диапазон: коммерческий и промышленный, примерно от –40 °C до +85 °C .

• Корпус: TSOP-II, 44-контактный (тонкий малогабаритный SOP) .

• Совместимость: TTL-входы/выходы, полностью статическая работа, 3-состояния на выходах, управление по верхней и нижней байтам (UB/LB)